《微電子技術(shù)概論》是西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院的研究生考試科目，微電子學(xué)院現(xiàn)設(shè)有2個博士學(xué)位授予學(xué)科、4個在職碩士學(xué)位授予學(xué)科和3個本科專業(yè)。其中，“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”為國家重點學(xué)科、國家211工程建設(shè)重點學(xué)科、教育部“長江學(xué)者獎勵計劃”設(shè)崗學(xué)科，“微電子學(xué)”和“集成電路設(shè)計與集成系統(tǒng)”是國家質(zhì)量工程建設(shè)特色專業(yè)。西安電子科技大學(xué)研究生考試科目《微電子技術(shù)概論》復(fù)試大綱如下：

　　1.考試的總體要求，包含考試范圍、要點以及各部分所占比例。

　　總體要求：

　　本課程以硅集成電路為中心，要求全面掌握有關(guān)微電子的專業(yè)基礎(chǔ)知識，重點是集成器件物理基礎(chǔ)、集成電路制造工藝、集成電路設(shè)計和微電子系統(tǒng)設(shè)計的基本方法。

　　考試范圍、要點以及各部分所占比例：

　　一、概 論(5分)

　　微電子技術(shù)的發(fā)展歷程、集成電路的分類、設(shè)計和制造特點

　　二、集成器件物理基礎(chǔ)(35分)

　　半導(dǎo)體的特點、共價鍵模型和能帶模型、半導(dǎo)體中的載流子和電流、半導(dǎo)體基本方程;

　　PN結(jié)和晶體二極管、雙極型晶體管、MOS場效應(yīng)晶體管等集成器件的工作原理、電特性、模型和基本模型參數(shù);

　　三、集成電路制造工藝(15分)

　　硅平面工藝的概念、氧化工藝、擴散和離子注入摻雜技術(shù)、光刻、制版、外延、金屬化、引線封裝、隔離技術(shù)、絕緣物上硅(SOI)技術(shù)、典型雙極和CMOS集成電路工藝流程

　　四、集成電路設(shè)計(25分)

　　集成電路中的無源與有源元件以及互連線、雙極集成器件和電路版圖設(shè)計、MOS集成器件和電路版圖設(shè)計、雙極和 MOS集成電路比較。

　　五、微電子系統(tǒng)設(shè)計(20分)

　　雙極數(shù)字電路單元電路設(shè)計、MOS數(shù)字電路單元電路設(shè)計、半導(dǎo)體存儲器電路、專用集成電路(ASIC)設(shè)計方法。

　　2. 考試的形式與試卷結(jié)構(gòu)：

　　試卷分值： 100分

　　考試時間： 120分鐘

　　答題方式： 閉卷、筆試

　　題型結(jié)構(gòu)： 填空題、 名詞解釋、 問答題 、 電路分析題、

　　版圖設(shè)計題

　　3.參考書目：

　　9111 微電子技術(shù)概論，參考書《微電子概論》郝躍等著 高等教育出版社2003