濟南大學微電子與光電子材料方向研究生專業(yè)是材料科學與工程學院下設(shè)的研究生專業(yè),材料科學與工程學院現(xiàn)有材料科學與工程、復合材料與工程和材料物理三個本科專業(yè),設(shè)有材料科學與工程一級學科碩士學位點,涵蓋材料學、材料物理與化學和材料加工工程三個二級學科,并具有材料工程領(lǐng)域工程碩士學位授予權(quán),同時與相關(guān)院校聯(lián)合培養(yǎng)博士研究生。濟南大學微電子與光電子材料方向在職研究生專業(yè)簡介如下:
微電子與光電子材料與器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)模和技術(shù)水平,已經(jīng)成為衡量一個國家經(jīng)濟發(fā)展、科技進步和國防實力的重要標志,在國民經(jīng)濟中具有重要戰(zhàn)略地位,是科技創(chuàng)新和國際競爭最為激烈的領(lǐng)域。本方向在壓電、鐵電、介電和光電半導體薄膜等微電子和光電子材料及器件領(lǐng)域開展了系統(tǒng)而深入的研究工作。
在微電子材料方面,主要從事鐵電壓電薄膜制備技術(shù)與性能調(diào)控等研究工作,在無鉛鐵電壓電薄膜的取向生長和缺陷調(diào)控方面形成鮮明特色。采用優(yōu)化的層層快速退火技術(shù)在多種襯底上實現(xiàn)了主極軸取向鉍系層狀鈣鈦礦鐵電薄膜的低溫生長,并在其它鈣鈦礦鐵電薄膜中進一步證實了這種非外延取向控制技術(shù)具有高度的普適性和可移植性。率先提出了老化和漏電之間的缺陷關(guān)聯(lián)機制,在此基礎(chǔ)上通過高低價離子共摻有效抑制了BiFeO3薄膜漏電所導致的各種電學性能退化。該理論及方法得到了國內(nèi)外同行的廣泛認可和采用,相關(guān)成果在Applied Physics Letters等學術(shù)期刊上發(fā)表的論文已被他200余次。最近,在Bi0.97Nd0.03FeO3薄膜壓電性能提升方面獲得突破。該薄膜有望取代傳統(tǒng)的PZT含鉛薄膜,成為未來無鉛壓電薄膜MEMS器件的核心材料。
在光電子薄膜材料方面,主要從事新型半導體薄膜材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計、成膜新技術(shù)及其機理、半導體異質(zhì)結(jié)界面控制等研究。近年來,在水熱法可控生長氧化物薄膜、電化學合成II-VI族p型半導體薄膜以及半導體薄膜在太陽能電池以及光致發(fā)光等領(lǐng)域的新功能開發(fā)方面取得了多項創(chuàng)新性成果。提出的低臨界條件下種子層誘導晶體取向生長理論解決了ZnO納米棒陣列和TiO2薄膜的取向和致密化生長難題 ,相關(guān)論文已被他引60余次。利用電化學沉積技術(shù)解決了三維異質(zhì)結(jié)制備及界面控制問題。采用能量激發(fā)改進電化學沉積技術(shù)優(yōu)化了p型半導體薄膜的組成和沉積速率,解決了這類薄膜的化學計量控制和厚膜沉積難題,目前該技術(shù)正在進行太陽能電池的產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。
近五年來,電子材料方向共承擔國家自然科學基金項目9項和省部級項目10余項,發(fā)表SCI收錄論文60余篇,申請國家發(fā)明專利10項,授權(quán)7項。